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倒裝芯片封裝凸點(diǎn)剪切力測(cè)試實(shí)例,推拉力測(cè)試機(jī)應(yīng)用全解析!

 更新時(shí)間:2024-04-19 點(diǎn)擊量:848

最近,我們收到了一位來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)的客戶的咨詢,他們有一個(gè)關(guān)于倒裝芯片封裝凸點(diǎn)剪切力測(cè)試的需求,希望能夠獲得合適的測(cè)試設(shè)備。為了解決客戶的測(cè)試需求,科準(zhǔn)測(cè)控為其定制了一套技術(shù)方案,包括相應(yīng)的檢測(cè)儀器。

芯片倒裝封裝技術(shù)作為電子行業(yè)中的一項(xiàng)重要工藝,在提高電路可靠性、降低體積重量、優(yōu)化信號(hào)傳輸性能等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。其中,焊接是芯片倒裝封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)之一。

針對(duì)焊接過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將重點(diǎn)介紹芯片焊區(qū)上凸點(diǎn)焊接可靠性,旨在深入探討該技術(shù)在提升芯片倒裝封裝可靠性方面的作用與意義。通過(guò)對(duì)凸點(diǎn)焊接的測(cè)試與分析,我們將探索其對(duì)電路失效率、組件體積重量、互連電路參數(shù)等方面的影響,以期為該領(lǐng)域的研究與實(shí)踐提供有益的參考與借鑒。

一、凸點(diǎn)剪切力測(cè)試

凸點(diǎn)剪切力測(cè)試是一種破壞性測(cè)試方法,用于評(píng)估芯片倒裝封裝中的焊接質(zhì)量。在這種測(cè)試中,通過(guò)施加垂直于焊接表面的力,并以一定的速度將焊接凸點(diǎn)剪切斷,以評(píng)估凸點(diǎn)的抗剪切能力。通常,這些凸點(diǎn)的直徑不會(huì)超過(guò)80μm。

二、常用測(cè)試設(shè)備

1、推拉力測(cè)試機(jī)

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測(cè)試設(shè)備應(yīng)當(dāng)使用經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的負(fù)載單元或傳感器。設(shè)備的最大負(fù)載能力應(yīng)不小于凸點(diǎn)最大剪切力的1.1倍,而剪切工具的受力面寬度應(yīng)達(dá)到凸點(diǎn)直徑的1.1倍以上。設(shè)備應(yīng)具備能夠提供并記錄施加在凸點(diǎn)上的剪切力的詳細(xì)信息,同時(shí)也應(yīng)具備對(duì)負(fù)載提供規(guī)定的移動(dòng)速率的功能。

2、凸點(diǎn)剪切工具

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a、剪切工具通常由堅(jiān)硬的剛性材料、或者陶瓷等不易彎曲的材料制成。

b、根據(jù)被測(cè)試凸點(diǎn)的尺寸,可以選擇合適的剪切工具,確保其與芯片表面呈90°±5°的角度。

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c、對(duì)凸點(diǎn)和剪切工具進(jìn)行對(duì)齊,確保剪切工具能夠接觸到凸點(diǎn)的一側(cè)。

d、最好使用可移動(dòng)的試驗(yàn)臺(tái)和工具臺(tái)進(jìn)行對(duì)齊,使移動(dòng)平臺(tái)垂直于負(fù)載方向。

e、在試驗(yàn)安裝過(guò)程中,需要特別注意避免觸碰到正在進(jìn)行試驗(yàn)的凸點(diǎn)。

f、由于剪切工具經(jīng)常使用會(huì)導(dǎo)致磨損,進(jìn)而影響試驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。

g、如果發(fā)現(xiàn)剪切工具有明顯的磨損跡象,如下圖所示,則應(yīng)及時(shí)進(jìn)行更換。

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3、剪切高度

剪切力和失效模式受剪切工具高度的影響。為保證試驗(yàn)結(jié)果的有效性,應(yīng)對(duì)任何檢驗(yàn)批進(jìn)行相同條件的剪切試驗(yàn),同時(shí)剪切工具高度設(shè)置應(yīng)該是一致的。

剪切高度不低于凸點(diǎn)高度的10%,剪切示意圖如下圖

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4、剪切速度

芯片凸點(diǎn)剪切過(guò)程中應(yīng)保持恒定速率,直到剪切力下降到最大值的25%以下,或直到剪切工具的移動(dòng)距離超過(guò)凸點(diǎn)直徑。剪切試驗(yàn)的速度一般為0.1mm/s-0.8mm/s。

5剪切力

試驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)包括芯片凸點(diǎn)剪切力的最大值、最小值、平均值以及標(biāo)準(zhǔn)偏差的失效判據(jù)。凸點(diǎn)剪切力數(shù)值應(yīng)滿足應(yīng)用條件所要求的的最小值。

 

三、測(cè)試過(guò)程

步驟一、測(cè)試前準(zhǔn)備

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使用顯微鏡對(duì)凸點(diǎn)進(jìn)行檢查,確保形狀完好,無(wú)助焊劑殘留或其他污染物。

根據(jù)測(cè)試設(shè)備的限制,需要移除鄰近的凸點(diǎn),確保剪切工具行進(jìn)路徑暢通,并避免觸碰到殘留的凸點(diǎn)。

確保凸點(diǎn)的殘留高度足夠低,以防止剪切工具在行進(jìn)過(guò)程中碰觸到殘留的凸點(diǎn)。

步驟二、測(cè)試要求

根據(jù)采購(gòu)文件或詳細(xì)規(guī)范中的要求進(jìn)行凸點(diǎn)最小剪切力的計(jì)算。

確定試驗(yàn)的芯片數(shù)量和測(cè)試點(diǎn)數(shù)。

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確定數(shù)據(jù)記錄的要求,包括最大剪切力、最小剪切力、平均剪切力以及標(biāo)準(zhǔn)偏差的失效判據(jù)。

步驟三、進(jìn)行測(cè)試

將凸點(diǎn)與剪切工具對(duì)齊,確保角度為90°±5°,并保證剪切工具能夠全部接觸到凸點(diǎn)的一側(cè)。

使用可移動(dòng)的試驗(yàn)臺(tái)和工具臺(tái)進(jìn)行對(duì)齊,確保移動(dòng)平臺(tái)垂直于負(fù)載方向。

調(diào)整剪切工具高度,保持不低于凸點(diǎn)高度的10%。

設(shè)置剪切速度為0.1mm/s0.8mm/s,并保持恒定速率直至剪切力下降到最大值的25%以下,或直到剪切工具移動(dòng)距離超過(guò)凸點(diǎn)直徑。

記錄并保存施加在凸點(diǎn)上的剪切力的詳細(xì)信息,包括最大值、最小值、平均值以及標(biāo)準(zhǔn)偏差。

步驟四、測(cè)試后處理

分析測(cè)試結(jié)果,檢查是否滿足應(yīng)用條件所要求的凸點(diǎn)剪切力最小值。

如有需要,根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)調(diào)整生產(chǎn)流程或材料選擇。

如發(fā)現(xiàn)剪切工具磨損明顯,及時(shí)更換以確保后續(xù)測(cè)試的準(zhǔn)確性。

 

四、失效判據(jù)

芯片凸點(diǎn)剪切可能引發(fā)四種失效模式,其中模式1和模式2被認(rèn)為是合格的失效模式,而模式3和模式4則為不合格的失效模式。通常情況下,采用獨(dú)立的光學(xué)系統(tǒng)對(duì)失效模式進(jìn)行評(píng)估。如果凸點(diǎn)剪切力值較低或出現(xiàn)多種失效模式,應(yīng)對(duì)斷裂面進(jìn)行詳細(xì)檢查。這種檢查通常通過(guò)使用顯微鏡,在500倍及更高倍數(shù)下進(jìn)行觀察來(lái)完成。

模式

類(lèi)型

描述

典型示例

 

 

 

1

 

 

 

延性失效

 

 

 

在焊料內(nèi)部的凸點(diǎn)斷裂

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2

 

 

 

UBM抬起

 

 

UBM和凸點(diǎn)一起抬起,抬起的UBM有可能包括碎裂的基材。

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3

 

 

凸點(diǎn)抬起

 

凸點(diǎn)從UBM上表面抬起,UBM表面沒(méi)有焊料/金屬間化合物所全部覆蓋,UBM的頂面暴露。

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4

 

 

 

界面破裂

 

破裂發(fā)生在焊料/金屬間化合物界面或金屬化合物/基板界面界面件的破裂可能沿整個(gè)UBM延伸,或在失效模式中占主導(dǎo)。

image.png 

 

 

以上就是小編介紹的倒裝芯片封裝凸點(diǎn)剪切力測(cè)試的內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助!如果您還想了解更多關(guān)于倒裝芯片封裝技術(shù)、工藝流程,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用、靜壓怎么設(shè)置、鉤針、廠家和價(jià)格等問(wèn)題,歡迎您關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言,科準(zhǔn)測(cè)控技術(shù)團(tuán)隊(duì)為您免費(fèi)解答!


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